目錄TABLE OF CONTENTS第1章 集成電路簡介/11.1 集成電路的誕生簡史/11.1.1 電子計算機/21.1.2 晶體管/41.1.3 集成電路/61.2 集成電路的發展與挑戰/101.2.1 集成電路制造中的尺寸概念/111.2.2 平面工藝/141.2.3 摩爾定律/161.2.4 摩爾定律的延續/171.2.5 超越摩爾定律/261.3 集成電路分類/271.3.1 邏輯處理器/281.3.2 存儲器/291.3.3 微元件集成電路/321.3.4 模擬集成電路/321.4 集成電路的產業化/321.4.1 集成電路的產業化分工/331.4.2 集成電路產業化要求/351.4.3 集成電路產業化趨勢/371.5 集成電路領域中的等離子體設備簡介/381.5.1 集成電路制造中的等離子體設備簡介/391.5.2 集成電路封裝中的等離子體設備簡介/44參考文獻/47第2章 等離子體基礎/492.1 氣體放電的概念和基本過程/492.1.1 氣體放電的基本概念/492.1.2 氣體放電基本過程/512.2 等離子體放電的基本性質/552.2.1 等離子體的基本概念/552.2.2 等離子體的基本特征/562.2.3 等離子體鞘層/582.2.4 等離子體振蕩/602.3 典型的氣體放電/612.3.1 輝光放電/632.3.2 容性放電/642.3.3 感性放電/672.3.4 電子回旋共振等離子體放電/71參考文獻/73第3章 集成電路中的等離子體刻蝕工藝與裝備/743.1 刻蝕技術的起源和歷史/743.2 等離子體刻蝕裝備的分類/783.2.1 容性耦合等離子體源/783.2.2 電感應耦合等離子體源/793.2.3 電子回旋共振等離子體源/793.3 等離子體刻蝕工藝過程/803.4 等離子體刻蝕工藝評價指標/823.4.1 刻蝕速率/823.4.2 刻蝕速率均勻性/823.4.3 刻蝕選擇比/833.4.4 刻蝕形貌/833.4.5 刻蝕線寬偏差/843.4.6 負載效應/843.4.7 刻蝕線邊緣和線寬粗糙度/863.4.8 終點檢測/873.5 等離子體刻蝕技術在集成電路制造中的應用/893.5.1 硅刻蝕/893.5.2 多晶硅刻蝕/903.5.3 介質刻蝕/913.5.4 金屬鋁刻蝕/933.6 等離子體刻蝕工藝在集成電路封裝中的應用/943.6.1 硅整面減薄工藝/943.6.2 深硅刻蝕工藝/963.6.3 等離子體切割工藝/993.6.4 硅微腔刻蝕工藝/1013.7 等離子體刻蝕技術的挑戰/1043.7.1 雙重成像曝光技術/1053.7.2 鰭式場效應晶體管刻蝕技術/1073.7.3 高深寬比刻蝕技術/109參考文獻/110第4章 集成電路中的等離子體表面處理工藝與裝備/1134.1 集成電路中的等離子體表面處理工藝/1144.1.1 等離子體去膠工藝/1144.1.2 刻蝕后等離子體表面處理工藝/1174.1.3 等離子體表面清潔工藝/1184.1.4 等離子體表面改性工藝/1194.1.5 翹*片等離子體表面處理工藝/1204.1.6 晶圓邊緣等離子體表面處理工藝/1214.2 集成電路中的等離子體表面處理設備/1244.2.1 遠程等離子體源/1244.2.2 晶圓邊緣表面處理設備/1274.3 等離子體表面處理技術的挑戰/1284.3.1 等離子體表面處理的損傷問題/1284.3.2 等離子體表面處理的顆粒問題/1294.3.3 等離子體表面處理材料種類多樣化/1304.3.4 晶圓邊緣等離子體表面處理設備均勻性/130參考文獻/131第5章 集成電路中的物理氣相沉積工藝與裝備/1345.1 物理氣相沉積設備概述/1345.1.1 蒸鍍設備/1355.1.2 直流磁控濺射設備/1365.1.3 射頻磁控濺射設備/1395.1.4 磁控濺射和磁控管設計/1415.2 磁控濺射真空系統及相關設備/1455.2.1 靶材/1455.2.2 真空系統/1465.2.3 預加熱系統和去氣腔室/1485.2.4 平臺系統/1505.3 磁控濺射沉積設備腔室結構/1545.3.1 預清洗腔室/1595.3.2 標準PVD腔室/1625.3.3 長距PVD腔室/1655.3.4 金屬離子化PVD腔室/1715.3.5 DC/RFPVD腔室/1745.3.6 MCVD/ALD腔室的集合/1775.4 金屬薄膜沉積工藝評價指標/1795.4.1 薄膜厚度和電阻/1805.4.2 薄膜應力/1815.4.3 薄膜反射率/1825.4.4 顆粒和缺陷控制/1835.4.5 薄膜組織結構/184參考文獻/186第6章 等離子體增強化學氣相沉積工藝與裝備/1876.1 化學氣相沉積和等離子體增強化學氣相沉積/1876.1.1 化學氣相沉積簡介/1876.1.2 等離子體增強化學氣相沉積簡介/1886.2 PECVD工藝原理/1926.2.1 PECVD冷等離子體特點和電子能量分布函數/1936.2.2 PECVD等離子體α-mode和γ-mode/1956.3 PECVD設備/1986.4 PECVD設備在集成電路制造中的應用/2046.4.1 刻蝕硬掩膜/2046.4.2 光刻抗反射膜/2056.4.3 關鍵尺寸空隙填充/2076.4.43 DNAND柵極堆疊/2076.4.5 應力工程和結構應用/2096.4.6 電介質膜/2116.4.7 低介電和擴散阻擋/2116.5 PECVD工藝性能評價/2156.5.1 變角度光學橢圓偏振儀/2156.5.2 光譜反射計和棱鏡耦合器/2176.5.3 傅里葉紅外光譜儀/2176.5.4 C-V和I-V電學性質測量/218參考文獻/220第7章 高密度等離子體化學氣相沉積工藝與裝備/2247.1 高密度等離子體化學氣相沉積工藝/2247.1.1 淺溝槽隔離介電質填充/2277.1.2 層間介電質填充/2297.1.3 金屬間介電質填充/2307.1.4 鈍化介電質填充/2317.1.5 各工藝應用之間的比較/2327.2 高密度等離子體化學氣相沉積設備/2337.2.1 設備工藝原理/2347.2.2 設備硬件設計/2347.3 高密度等離子體化學氣相沉積工藝性能評價/2367.3.1 速率/2367.3.2 膜層質量/2387.3.3 顆粒與金屬污染/243參考文獻/245第8章 集成電路中的爐管工藝與裝備/2488.1 集成電路中的爐管工藝/2488.1.1 爐管氧化和退火工藝/2498.1.2 爐管低壓化學氣相沉積工藝/2518.1.3 爐管原子層沉積工藝/2558.2 爐管中的批式ALD設備/2578.2.1 批式ALD設備概況/2578.2.2 批式ALD設備硬件結構/2588.2.3 批式ALD設備所能對應的集成電路薄膜/2618.2.4 批式ALD設備的工藝說明/2638.3 爐管中的熱處理設備/2648.3.1 氧化工藝設備/2658.3.2 合金化/退火工藝設備/2688.4 爐管在集成電路等離子體設備中的應用/2748.4.1 爐管原子層沉積設備的等離子體應用介紹/2748.4.2 爐管原子層沉積氮化硅設備的等離子體應用/2788.4.3 爐管原子層沉積氧化硅設備的等離子體應用/280參考文獻/282